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Chip HPOLED 3535 LED infravermelho SMD 730 nm 840 nm
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Chip HPOLED 3535 LED infravermelho SMD 730 nm 840 nm

Item: Chip HPOLED 3535 LED infravermelho SMD 730nm 840nm
Número do modelo: GP-1WIR-G42-850NM
Corrente de entrada: 300-700mA
Tensão de entrada: 2-2.4VDC
Tipo de pacote de LED: Base de cerâmica
Marca de chips: Taiwan Epileds
Tamanho do chip: 42*42mil
Potência radiante: 200-300mw
Comprimento de onda: 840-850NM
Vida útil: 50000 horas
Garantia: 3 anos
Aplicação: Câmera IR
Lugar de Origem: Shenzhen, China
Prazo de entrega: 5-7 dias úteis

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  • Descrição

    Descrição do produto deChip epiled de alta potência 3535 850nm 700nm IR LED:


    --Em conformidade com ROHS e REACH.

    --Alto brilho e alto CRI.

    --Luz instantânea (menos de 100 ns).

    --Mais eficiência energética do que as lâmpadas incandescentes e a maioria das lâmpadas halógenas.

    --Aplicação: LED indicador, LED de iluminação, LED de retroiluminação, etc.

    3535 850nm led

    1

    ■ Classificações máximas absolutas (em TA =25 grau)

    Parâmetro

    Símbolo

    Avaliação

    Unidade

    Corrente direta DC

    IF

    700

    m A

    Corrente de pulso de pico*

    IPF

    1400

    m A

    Dissipação de energia

    PD

    3

    W

    voltagem inversa

    VR

    5

    V

    Corrente inversa

    IR

    10

    μ A

    Faixa de temperatura operacional

    TOPR

    -30 ~ mais 75

    grau

    Amplitude Térmica de armazenamento

    TSTG

    -40 ~ mais 85

    grau

    Temperatura da Junção do LED

    TJ

    120

    grau

    Observação:

    1. 1/10 Ciclo de trabalho, largura de pulso de 0,1 ms.

    2. Deve-se tomar cuidado para que a dissipação de energia não exceda a classificação máxima absoluta do produto.

    3. Quando os LEDs estiverem em operação, a corrente máxima deve ser decidida após a medição da temperatura do pacote, a temperatura da junção não deve exceder a taxa máxima.


    ■ Características elétricas/ópticas--Branco (no grau TA=25)

    Parâmetro

    Símbolo

    Condições

    mín.

    média

    máx.

    Unidades

    Tensão direta

    VF

    IF=350mA

    1.60

    --

    2.00

    V

    Junção de Resistência Térmica à Placa

    J-B

    IF=350mA

    --

    8

    --

    grau /W

    Fluxo Radiante

    Φe

    IF=350mA

    200


    300

    Mw

    Comprimento de onda de pico

    λp

    IF=350mA

    840


    850

    Nm

    Coeficiente de temperatura da tensão direta

    ∆VF/∆T

    IF=350mA

    −−

    -2

    −−

    mV/ grau

    Corrente inversa

    IR

    VR=5V

    −−

    −−

    10

    μ A

    Ângulo de visão [1]

    1/2

    IF=350mA

    −−

    120

    −−

    graus

    FORMULÁRIOS

    • Identificação Biométrica

    • Sistemas de monitoramento de motorista

    • Aplicações de detecção externa

    • Controle de gestos

    • Detecção de Presença Interior


    Sobre GMKJ LED

    Shenzhen Guangmai Technology Co., Ltd. foi fundada em 2009, tem a própria marca "GMKJ LED", que também é a unidade governamental da Câmara de Comércio Eletrônica de Shenzhen. Nossa empresa está localizada em Huaqiang North Commerce Center, Shenzhen.

     

    A GMKJ LED possui o equipamento de fabricação fotoelétrica automático completo ASM avançado internacional, a produção pode ultrapassar 9 bilhões de peças por mês. Nossa produção passou pela certificação do sistema de gerenciamento de qualidade ISO9001.

     

    Atualmente, a GMKJ LED possui quatro séries de produtos LED: LED indicador, LED de iluminação, LED de retroiluminação e LED infravermelho. E passaram pela CE, ROHS, REACH, SGS e outras certificações internacionais.

    5


    Chip HPOLED 3535 Infrared SMD LED 730nm 840nm amostras estão disponíveis.


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