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3535 Ir Led Chip 810nm 815nm 3535 Vcsel Laser Led Diodo
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3535 Ir Led Chip 810nm 815nm 3535 Vcsel Laser Led Diodo

Nome: chip led 3535 ir 810nm 815nm 3535 vcsel laser led diodo
Potência: 1-8 w
Corrente: 3500mA
Tensão: 2,2vdc
Comprimento de onda: 810-815nm
Fluxo radiante: 3000-4000mW
Garantia: 2 anos
Ângulo de visão: 11 graus
Vida útil: 50000 horas
Aplicações: laser vcsel, reconhecimento facial, terapia infravermelha, câmera infravermelha, comunicação infravermelha, monitor infravermelho, casa inteligente e assim por diante

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  • Descrição
    Descrição dos produtos

    3535 vcsel


    Nome3535 vcsel laser led diodo 3535 ir chip led 840nm 850nm
    Poder1-8w
    Atual3500mA
    Tensão2,2vdc
    Comprimento de onda810-815nm
    fluxo radiante3000-4000mW
    garantia2 anos
    Ângulo de visão11 graus
    Vida útil50000 horas
    Formulários

    Laser vcsel, reconhecimento facial, terapia infravermelha, câmera infravermelha, infravermelho

    comunicação, monitor infravermelho, casa inteligente e assim por diante


    Descrição dos produtos

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    Características

    * Marca famosa de chips (Epileds, Epistar, Bridgelux)

    * Estrutura de nitreto de alumínio

    * Cola de Silicone Dow Corning

    * 100% de potência suficiente para cada led

    * 50000 horas de trabalho quando a temperatura de trabalho for inferior a 65 graus Celsius

    * Fio dourado de 1,2 μm 99,99 por cento (alguns fornecedores usam 0.9-1.0 μm ou usam fio de liga)


    Formulários

    1669694370235


    VCSELs são amplamente utilizados, como:

    (1) Comunicação de dados;

    (2) Sensor de luz;

    (3) reconhecimento facial;

    (4) Impressão a laser;

    (5) Exibição a laser;

    (6) Iluminação a laser;

    (7) Eletrônica automotiva;

    (8) Processamento a laser;

    (9) Eletrônicos de consumo;

    (10) Sensoriamento atômico;

    (11) Radar laser, etc.


    Sobre VCSEL

    A estrutura e o princípio do VCSEL


    Os dispositivos VCSEL têm duas estruturas básicas, uma é a estrutura de emissão superior: é cultivada no substrato GaAs do tipo n pela tecnologia MOCVD, o DBR é usado como o espelho da cavidade do laser e a região ativa do poço quântico é imprensada entre n-DBR e p-DBR. entre. A outra é a estrutura de emissão inferior, que geralmente é usada para gerar a banda 976-1064nm. Normalmente, o substrato é diluído para menos de 150μm para reduzir a perda de absorção do substrato, e uma camada de filme anti-reflexo é cultivada para melhorar a qualidade do feixe de laser. Finalmente, o chip de ganho montado em um dissipador de calor.


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    Descrição dos produtos

    1. Guangmai é um fabricante profissional de diodo led de alta qualidade desde 2000


    2. Qualidade de classe A com 3 anos de garantia para todos os itens.


    3. Chips Epistar/Bridgelux originais com 100 por cento de classe A.


    4. Todos os leds 100 por cento QA passaram antes de serem enviados.


    5. A máquina de produção totalmente automática e as máquinas de verificação de qualidade garantem uma grande qualidade dos produtos e uma entrega rápida.


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    Expedição

    shipment 2


    Perguntas frequentes

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    Você pode entrar em contato conosco para obter os detalhes do seu pedido por e-mail ou consulta on-line.


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    Por favor, tenha confiança em nossos produtos. Nossos produtos são vendidos em todo o mundo desde 2009. A empresa possui uma equipe profissional de P&D e produção, comprometida com P&D e produção de LED há mais de 12 anos.

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